半导体真空科学仪器是半导体战略科技可持续发展的重要支柱，对半导体材料和芯片技术创新及产业应用具有决定性作用，目前国际上各科技大国对高端真空科学仪器出口管控日益严苛。近年来半导体新材料技术及其光电器件技术迭代不断加快，锑化物半导体等低维结构新体系材料自本世纪初以来得到迅猛发展，逐步形成新一代红外光电器件技术变革性突破的热点方向。本次大会旨在为促进我国半导体真空科学仪器及相关半导体材料与系统集成技术发展和产业应用，定于2023年7月28日-30日在我国历史名城山西省晋城市召开“全国半导体真空科学仪器暨第三届锑

全国分子束外延学术会议是每两年举办一次的全国性学术会议。会议的宗旨是展示我国在分子束外延（MBE）及其相关领域的新进展、新动态、新成果，交流和探讨我国分子束外延发展中存在的问题和未来的发展方向，拓宽分子束外延的应用领域，为我国从事分子束外延技术以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为分子束外延相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国分子束外延技术及其相关领域科学技术的发展。

近年来，碳化硅等宽禁带半导体已成为全球高技术领域竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的重点。宽禁带半导体正在光伏逆变器、新能源汽车和5G通信应用牵引下逐步形成巨大规模的产业。为了推动亚太地区碳化硅等宽禁带半导体产业与学术的发展，加强交流与协同创新，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟和中科院物理研究所发起并于2018年7月9日-12日在北京举行成功主办了第一届亚太碳化硅及相关材料国际会议（2018年）（The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbid

在球差校正器实用化以后，扫描透射电子显微镜（Scanning Transmission Electron Microscope, STEM）对多种材料都表现出原子/亚原子分辨的强大成像和分析能力，现已发展成为在二维和三维的原子尺度上探索物质结构与局域谱学物性（例如电子能量损失谱和能谱）的重要研究手段之一。同时，高时间分辨电镜、环境电镜、原子分辨薄相位体成像等电子显微术的快速发展也在材料、物理、化学、化工等领域的科研中获得巨大成功。 本次研讨会有幸邀请到43位国内外知名的电子显微学和

中国半导体检测论坛是全国性行业学术交流会议。会议的宗旨是展示我国半导体功率器件及相关领域的新动态、新成果。交流和探讨我国IGBT及SiC相关功率器件测试等问题，促成科研机构跨行业、跨学科的合作，拓宽其应用领域，为我国从事IGBT及SiC相关功率器件测试研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，同时也为半导体相关的上下游产业提供信息沟通和宣传的渠道，从而促进我国半导体技术及其相关领域科学技术的发展。

为了进一步推动该领域内的学术交流、技术合作、新产品及技术的展示，特举办“第二届全国锑化物半导体学术及产业促进大会”，通过会议交流信息、凝聚科研及产业相关高校、科研机构、上下游企业单位，共同推动锑化物半导体产业在国内的健康有序的发展。 锑化物半导体作为一种新型的窄带隙材料，是最理想的红外激光与探测材料，无论是在红外对抗、红外夜视、遥感、通信等军用领域，还是在气体检测、红外成像及传感方面均有重要的用途，近十年来随着技术提升，锑化物半导体逐步具备了走向产业化条件。国际上已经有多家公司进入该